企业简介
江苏宏微科技有限公司是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产，具有多种专项技术的科技专家组建的高科技企业。企业的宗旨是为国内外用户提供绿色高效节能的电子产品，并提供电力电子系统的解决方案。公司的业务范围包括： 1） 设计、研发、生产和销售新一代电力电子分立器件及模块，如FRED、VDMOS、IGBT及用户定制功率模块。 2） 提供大功率高压晶闸管、整流管的设计及制造方案。 3） 新型电力电子器件的动态、静态参数测试系统与装置。 4） 高效节能电力电子装置的设计、制造及系统的解决方案，如照明电子、开关电源、UPS、逆变及变频装置。 5） 软件产品的开发。 江苏宏微科技有限公司还为国外知名企业代理销售电力电子产品。
江苏宏微科技有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 8125081 |  |
POWERFORTHEBETTER | 2010-03-16 | 计算机周边设备;内部通讯装置;整流用电力装置;测量器械和仪器;半导体器件;电子芯片;电源材料(电线、电缆);稳压电源;电焊设备;电池充电器; | 查看详情 |
江苏宏微科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN101118858A | 增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法 | 2008.02.06 | 本发明涉及一种增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法，(1)栅氧化；(2)多晶硅淀积；(3)多晶硅 |
| 2 | CN101118840A | 功率半导体分立器件第一层光刻对位标记的制作方法 | 2008.02.06 | 本发明涉及一种功率半导体分立器件第一层光刻对位标记的制作方法，(1)对抛光后的硅片清洁处理，氧化形成 |
| 3 | CN101355027A | 半导体器件的离子注入方法 | 2009.01.28 | 本发明涉及一种半导体器件的离子注入方法，硅片放入离子注入内机，把具有网孔的丝网制成与硅片相同形状的阻 |
| 4 | CN100449686C | 功率半导体分立器件第一层光刻对位标记的制作方法 | 2009.01.07 | 本发明涉及一种功率半导体分立器件第一层光刻对位标记的制作方法，(1)对抛光后的硅片清洁处理，氧化形成 |
| 5 | CN102290436B | 新型绝缘栅双极晶体管背面结构及其制备方法 | 2016.08.03 | 本发明涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二阻挡 |
| 6 | CN103295920B | 非绝缘型功率模块及其封装工艺 | 2016.04.27 | 本发明提供了一种非绝缘型功率模块，它包含：铜基板；位于铜基板指定位置处的功率模块芯片；从功率模块芯片 |
| 7 | CN201467522U | 动态节能照明电源装置 | 2010.05.12 | 本实用新型涉及动态节能照明电源装置，过电压保护电路包括放电管CR1、压敏电阻MOV1和MOV2及放电 |
| 8 | CN102264200B | 智能功率模块 | 2014.03.26 | 本发明涉及一种智能功率模块，包括外壳、盖板和主电路板，外壳的上下两端面分别设置上止口和下止口，外壳内 |
| 9 | CN102522328B | MOS器件栅极孔的制作方法 | 2014.01.29 | 本发明涉及一种MOS器件栅极孔的制作方法，按以下步骤进行，将清洁处理后的硅片放入氧化炉内进行第一氧化 |
| 10 | CN102364676B | 半导体功率模块封装外壳结构 | 2013.10.30 | 本发明涉及一种半导体功率模块封装外壳结构，至少四个电极分别嵌接在壳体两侧，各电极的铝丝键合座设置在墙 |
| 11 | CN102510204B | IGBT半桥功率模块 | 2013.10.30 | 本发明涉及一种IGBT半桥功率模块，包括外壳和安装在外壳底面的铜底板，主电路及具有槽形部分和引出部分 |
| 12 | CN102438378B | LED照明智能控制系统 | 2013.10.30 | 本发明涉及一种LED照明智能控制系统，包括用于给至少两个智能电源控制单元提供直流电源的同步整流单元， |
| 13 | CN103295920A | 非绝缘型功率模块及其封装工艺 | 2013.09.11 | 本发明提供了一种非绝缘型功率模块，它包含：铜基板；位于铜基板指定位置处的功率模块芯片；从功率模块芯片 |
| 14 | CN103178120A | 外延型快速恢复二极管及其制备方法 | 2013.06.26 | 本发明提供一种外延型快速恢复二极管（FRED）及其制备方法，属于功率器件技术领域。该FRED的用于形 |
| 15 | CN103178042A | 实现功率模块超薄化封装的螺母 | 2013.06.26 | 本发明提供一种实现功率模块超薄化封装的螺母，属于功率模块封装技术领域。本发明提供的螺母功率端子用于封 |
| 16 | CN202948921U | 非绝缘型功率模块 | 2013.05.22 | 本实用新型提供了一种非绝缘型功率模块，它包含：铜基板；位于铜基板指定位置处的功率模块芯片；从功率模块 |
| 17 | CN102254902B | IGBT功率半桥模块 | 2013.03.06 | 本发明涉及一种IGBT功率半桥模块，半导体芯片连接在覆金属陶瓷基板上，主电极的一侧与覆金属陶瓷基板连 |
| 18 | CN102142372B | 制备场阻断型绝缘栅双极晶体管的方法 | 2012.10.24 | 本发明涉及一种制备场阻断型绝缘栅双极晶体管的方法，N-型单晶片清洗后在正反两表面预扩散N+型半导体杂 |
| 19 | CN202502992U | 螺母功率端子以及包括其的功率模块和电路系统 | 2012.10.24 | 本实用新型提供一种螺母功率端子以及包括其的功率模块和电路系统，属于功率模块封装技术领域。本实用新型提 |
| 20 | CN101610625B | 动态节能照明电源装置 | 2012.09.26 | 本发明涉及动态节能照明电源装置，过电压保护电路包括放电管CR1、压敏电阻MOV1和MOV2及放电管C |
| 21 | CN202406000U | IGBT半桥功率模块 | 2012.08.29 | 本实用新型涉及一种IGBT半桥功率模块，包括外壳和安装在外壳底面的铜底板，主电路及具有槽形部分和引出 |
| 22 | CN202406045U | 宽电压输入自适应动态节能照明电源装置 | 2012.08.29 | 本实用新型涉及一种宽电压输入自适应动态节能照明电源装置，输入保护单元依次经EMC滤波单元和功率调节单 |
| 23 | CN202405272U | 快恢复外延型二极管 | 2012.08.29 | 本实用新型涉及一种快恢复外延型二极管，包括依次相连接的金属阴极层、N+衬底硅片、N型外延层、P型外延 |
| 24 | CN202406349U | LED照明智能控制系统 | 2012.08.29 | 本实用新型涉及一种LED照明智能控制系统，包括用于给至少两个智能电源控制单元提供直流电源的同步整流单 |
| 25 | CN202352645U | 半导体功率模块封装外壳结构 | 2012.07.25 | 本实用新型涉及一种半导体功率模块封装外壳结构，至少四个电极分别嵌接在壳体两侧，各电极的铝丝键合座设置 |
| 26 | CN202352664U | 直流电机励磁控制的功率模块 | 2012.07.25 | 本实用新型涉及一种直流电机励磁控制的功率模块，直接敷铜基板固定在铜底板上，两晶闸管芯片、三个二极管芯 |
| 27 | CN102522328A | MOS器件栅极孔的制作方法 | 2012.06.27 | 本发明涉及一种MOS器件栅极孔的制作方法，按以下步骤进行，将清洁处理后的硅片放入氧化炉内进行第一氧化 |
| 28 | CN102510204A | IGBT半桥功率模块 | 2012.06.20 | 本发明涉及一种IGBT半桥功率模块，包括外壳和安装在外壳底面的铜底板，主电路及具有槽形部分和引出部分 |
| 29 | CN202275814U | 覆金属陶瓷基板 | 2012.06.13 | 本实用新型涉及一种覆金属陶瓷基板，包括陶瓷基板和覆在陶瓷基板上下两面的金属层，金属层的外周面与陶瓷基 |
| 30 | CN102496572A | 快恢复外延型二极管及其制备方法 | 2012.06.13 | 本发明涉及一种快恢复外延型二极管，包括依次相连接的金属阴极层、N+衬底硅片、第一外延层、第二外延层和 |
| 31 | CN202240142U | 功率模块信号端子的点焊专用夹具 | 2012.05.30 | 本实用新型涉及一种功率模块信号端子的点焊专用夹具，包括上压柱、下定位座和移动件，上压柱安装在移动件的 |
| 32 | CN202221762U | 新型绝缘栅双极晶体管背面结构 | 2012.05.16 | 本实用新型涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二 |
| 33 | CN102438378A | LED照明智能控制系统 | 2012.05.02 | 本发明涉及一种LED照明智能控制系统，包括用于给至少两个智能电源控制单元提供直流电源的同步整流单元， |
| 34 | CN202167483U | IGBT功率半桥模块 | 2012.03.14 | 本实用新型涉及一种IGBT功率半桥模块，半导体芯片连接在覆金属陶瓷基板上，主电极的一侧与覆金属陶瓷基 |
| 35 | CN102364676A | 半导体功率模块封装外壳结构 | 2012.02.29 | 本发明涉及一种半导体功率模块封装外壳结构，至少四个电极分别嵌接在壳体两侧，各电极的铝丝键合座设置在墙 |
| 36 | CN202142975U | 智能功率模块 | 2012.02.08 | 本实用新型涉及一种智能功率模块，包括外壳、盖板和主电路板，外壳的上下两端面分别设置上止口和下止口，外 |
| 37 | CN102315179A | 覆金属陶瓷基板其及制作方法 | 2012.01.11 | 本发明涉及一种覆金属陶瓷基板的制备方法，按以下步骤进行，(1)、将陶瓷基板两面清洗干净，(2)将金属 |
| 38 | CN102290436A | 新型绝缘栅双极晶体管背面结构及其制备方法 | 2011.12.21 | 本发明涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二阻挡 |
| 39 | CN102264200A | 智能功率模块 | 2011.11.30 | 本发明涉及一种智能功率模块，包括外壳、盖板和主电路板，外壳的上下两端面分别设置上止口和下止口，外壳内 |
| 40 | CN102254902A | IGBT功率半桥模块 | 2011.11.23 | 本发明涉及一种IGBT功率半桥模块，半导体芯片连接在覆金属陶瓷基板上，主电极的一侧与覆金属陶瓷基板连 |
| 41 | CN202010836U | 用于焊机电源的脉宽调制电路 | 2011.10.19 | 本实用新型涉及一种用于焊机电源的脉宽调制电路，包括电压型的脉宽调制集成单元以及外围电路、电压保护单元 |
| 42 | CN102142372A | 制备场阻断型绝缘栅双极晶体管的方法 | 2011.08.03 | 本发明涉及一种制备场阻断型绝缘栅双极晶体管的方法，N-型单晶片清洗后在正反两表面预扩散N+型半导体杂 |
| 43 | CN201741685U | 多单元功率半导体模块 | 2011.02.09 | 本实用新型涉及一种多单元功率半导体模块，包括外壳、覆铜陶瓷基板、半导体芯片和电极，半导体芯片固定在覆 |
| 44 | CN201741690U | 轻型功率半导体模块 | 2011.02.09 | 本实用新型涉及一种轻型功率半导体模块，包括外壳、覆金属陶瓷基板、半导体芯片和电极，半导体芯片连接在覆 |
| 45 | CN101179055B | 半导体功率模块及其散热方法 | 2010.10.06 | 本发明涉及一种半导体功率模块及其散热方法，属于半导体模块制造领域。包括底板、覆金属陶瓷基板、半导体芯 |
| 46 | CN101246886B | MOS结构的功率晶体管及其制作方法 | 2010.06.02 | 本发明涉及一种MOS结构的功率晶体管，包括金属层、绝缘介质层、多晶硅层、栅氧化层和第三掺杂层、第二掺 |
| 47 | CN100583433C | 非绝缘双塔型二极管模块 | 2010.01.20 | 本发明涉及一种非绝缘双塔型二极管模块，包括底板、二极管芯片、主电极及外壳，二极管芯片的下端面通过下过 |
| 48 | CN101610625A | 动态节能照明电源装置 | 2009.12.23 | 本发明涉及动态节能照明电源装置，过电压保护电路包括放电管CR1、压敏电阻MOV1和MOV2及放电管C |
| 49 | CN100533688C | 浅结二极管芯片的制作方法 | 2009.08.26 | 本发明涉及一种浅结二极管芯片的制作方法，(1)在硅片氧化并一面或双面进行光刻、腐蚀形成有源区窗口；( |
| 50 | CN100533668C | 半导体器件的离子注入方法 | 2009.08.26 | 本发明涉及一种半导体器件的离子注入方法，硅片放入离子注入内机，把具有网孔的丝网制成与硅片相同形状的阻 |
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